半导体联盟消息，尽管新冠疫情仍存在影响，三星 (Samsung) 已按计划启动了其位于中国西安的新闪存工厂，开始量产闪存晶圆。

据外媒Blocks & Files消息，新工厂将用于生产三星第五代3D V-NAND，该闪存采用了90+层堆叠及256Gb容量的裸片 (die) 。产能方面，三星将初始目标定在每月20,000片晶圆，之后将会提高至每月65,000片。按每片晶圆约700颗裸片估算，约等于45,500,000颗芯片。《西安日报》也报道该工厂已做好量产准备，计划于8月份开足马力生产。

此外，三星计划在六月推出第六代V-NAND产品，仍将使用256Gb容量的裸片但堆叠层数提升至100+层。再往后的第七代产品，将会采用200+层堆叠的512Gb容量裸片。

三星将在韩国平泽 (Pyeongtaek) 和华城 (Hwaseong) 工厂量产V-NAND。三星也表示，平泽厂将会在不久后调整为第六代V-NAND产线。

此外，三星还计划在西安继续投资80亿美元用于扩产，期望将产能翻倍，提升至130,000片晶圆，具体的时间细节暂未透露。

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