首款中芯国际“N+1”工艺芯片流片成功

2026-05-07 06:17分类：科技前沿阅读：

近日，珠海特区报援引芯动科技消息称，芯动科技已完成全球首个基于中芯国际FinFETN+1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次测试通过，为国产半导体生态链再立新功。

首款中芯国际“N+1”工艺芯片流片成功（图1）

中芯国际是国内芯片制造领域的龙头企业，“N＋1”工艺是其在第一代先进工艺14nm量产之后的第二代先进工艺的代号。中芯国际联席CEO梁孟松博此前公布的信息显示，N＋1工艺和现有的14nm工艺相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。

首款中芯国际“N+1”工艺芯片流片成功（图2）

在2020年半年报中，中芯国际曾表示，第二代先进工艺（N＋1）进展順利，已进入客户产品验证阶段。今年9月，该公司回应称，第二代FinFETN＋1工艺已经进入客户导入阶段，有望于2020年底小批量试产。

首款中芯国际“N+1”工艺芯片流片成功（图3）

封面图片来源：拍信网

首款中芯国际“N+1”工艺芯片流片成功（图4）

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