第三代半导体功率芯片节能10%效率提升10倍

2026-06-12 18:34分类：科技前沿阅读：

16日消息，重庆邮电大学光电工程学院副教授黄义介绍，目前实验室已成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片，主要应用在汽车电子、消费电源、数据中心等方面。电量能节省10%以上，面积是硅芯片的1/5左右，开关速度提升10倍以上。目前该项目已经到了试验性应用阶段，未来有望在各种电源节能领域和大数据中心使用。

第三代半导体功率芯片节能10%效率提升10倍（图1）

重庆邮电大学校长高新波此前表示，重邮在第三代半导体技术方面取得了系列突破和丰富成果。重邮已联合成都电子科大、西安电子科大、北京理工大学等院校，大力推进西部(重庆)科学城行动计划重大项目，全力建设“重庆市集成电路设计创新孵化中心”。

第三代半导体功率芯片节能10%效率提升10倍（图2）

目前，该孵化中心已入驻西部(重庆)科学城。该中心将着力建设集成电路公共设计、测试分析、半导体工艺等为一体集成电路中试平台，提供低成本、高效率的集成电路公共服务与专业技术支持。

第三代半导体功率芯片节能10%效率提升10倍（图3）

第三代半导体功率芯片节能10%效率提升10倍（图4）

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